삼성전자가 26일(현지 시간) 미국 실리콘밸리에서 인공지능(AI) 시대를 선도할 차세대 메모리 솔루션을 공개했다.
[서울=서울미디어뉴스] 최민정 기자 =삼성전자가 26일(현지 시간) 미국 실리콘밸리에서 인공지능(AI) 시대를 선도할 차세대 메모리 솔루션을 공개했다. 캘리포니아 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 컨퍼런스 'MemCon 2024'에서, 삼성전자는 AI 시대를 선도할 'Compute Express Link'(CXL) 기술 기반 메모리와 고성능, 대용량 HBM(고대역폭 메모리)을 선보였다.
삼성전자는 이날 기조연설에서 "이러한 솔루션들이 산업 혁신을 주도하고 있다"며 "메모리 용량 측면에서 CXL 기술과 대역폭 측면에서 HBM이 미래 AI 시대를 이끌 것"이라고 밝혔다.
CXL은 중앙 처리 장치(CPU), 그래픽 처리 장치(GPU), 메모리 반도체를 연결하여 데이터 처리 속도와 용량을 증가시키는 기술로, 생성형 AI로 데이터양이 급증함에 따라 차세대 메모리 기술로 주목받고 있다.
삼성전자 미주 메모리 연구 센터의 최진혁 부사장은 "CXL은 효율적인 메모리 관리를 가능하게 하고 시스템 안전성을 증가시킬 수 있어, 삼성전자의 다양한 CXL 기반 솔루션을 통해 메모리 용량과 대역폭을 크게 향상시킬 수 있다"고 말했다.
삼성전자는 CXL 기반의 다양한 솔루션을 소개했으며, 이에는 NAND와 DRAM을 함께 사용하는 CMM-D(DRAM), CMM-H(하이브리드), 메모리 풀링 솔루션인 CMM-B(박스) 등이 포함된다.
또한, 삼성전자는 HBM 솔루션에도 강조를 두었다. HBM은 다수의 DRAM을 수직으로 연결하여 데이터 처리 속도를 혁신적으로 증가시키는 고성능 메모리로, 생성형 AI를 구동하는 데 주목받고 있다.
DRAM 개발 부문의 황상준 부사장은 "대량 생산 중인 3세대(HBM2E)와 4세대(HBM3)에 이어, 올해 상반기에는 12층 5세대 HBM과 32기가비트(Gb) 기반 128기가바이트(GB) DDR5 제품을 대량 생산하여 AI 시대에 진입할 것이다. 고성능, 대용량 메모리 분야의 리더십을 계속 이어갈 것"이라고 말했다.
6세대 HBM의 경우, 삼성전자는 적층 메모리의 하단에 버퍼 다이, 제어 장치를 적용함으로써 AI 시대에 메모리 반도체 혁신을 계속할 계획이다.
댓글 영역
획득법
① NFT 발행
작성한 게시물을 NFT로 발행하면 일주일 동안 사용할 수 있습니다. (최초 1회)
② NFT 구매
다른 이용자의 NFT를 구매하면 한 달 동안 사용할 수 있습니다. (구매 시마다 갱신)
사용법
디시콘에서지갑연결시 바로 사용 가능합니다.