삼성전자가 EUV(극자외선) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산을 시작, 차별화된 공정 기술력을 선보이고 있다.
지난해 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있으며 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 D램을 구현함으로써 미세 공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보해 나갈 계획이다.

5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐으며 제품의 소비전력은 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다.

신규 공정은 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이며 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 확대되고 있다.

삼성전자는 업계 최선단의 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 구현해, DDR5 D램 대중화를 선도하고 고용량 데이터 시장 수요에 대응하기 위해 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산한다는 계획이다.



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